LITOGRAFIA POR FEIXE DE ELÉTRON: um caminho eficaz para fabricação de arranjos nanoestruturados
litografia por feixe de elétrons; PMMA; nanolitografia.
No presente trabalho, foram fabricados arranjos nanoestruturados usando litografia por feixe de elétrons. Para isso, os parâmetros de rotação e a interação do resist (polimetilmetacrilato) com o substrato foram estudados. Foi demonstrado que a rotação de 3000 rpm por 50 segundos proporcionou um melhor resultado na obtenção da camada do resist. Um microscópio eletrônico de varredura, modelo AURIGA – ZEISS foi utilizado para fabricar sete amostras com diferentes geometrias e dimensões. Para remoção das áreas sensibilizadas foi utilizado uma mistura de isopropanol e metil isobutil cetona. Diferentes aberturas, Dwell time e dosagem foram investigados. Para todas as amostras foi utilizado uma tensão de aceleração de 30 kV e a melhor abertura foi de 10 micrometros. Foi demonstrado que diferentes dosagens promovem mudanças significativas na qualidade dos padrões litografados. Quando utilizado uma dosagem de 1400 nC/µm¬2 o silício foi exposto além do esperado, comprometendo áreas circunvizinhas. Para atender demandas especificas, foram fabricadas estruturas nanométricas na forma de donuts. Finalmente foram fabricadas estruturas tipo antena, que permitam investigar fenômenos físicos em arranjos nanométricos. Este trabalho contribui para a formação de mão de obra qualificada para fabricação de nanoestruturas, usando litografia por feixe de elétrons, que irá suprir necessidades especificas em diversas áreas do conhecimento.