SÍNTESE, CARACTERIZAÇÃO E MODULAÇÃO DE PROPRIEDADES ÓTICAS DE MATERIAIS SEMICONDUTORES VIA ABLAÇÃO A LASER, SONOQUÍMICA E ELETROQUÍMICA.
Palavras-chave: pontos quânticos; ablação a laser; ultrassom; eletrossíntese.
Este trabalho visa a aplicação de métodos físicos para a redução de espécies químicas em solução. Na primeira parte deste trabalho foi possível utilizar a metodologia de ablação à laser em meio líquido para sintetizar (PQs) de CdS, CdSe, CdTe e ZnSe estabilizados pelo ácido 3-mercaptopropiônico (MPA), a partir da redução in situ dos calcogênios (S, Se e Te). Os PQs de CdTe apresentaram propriedades de emissão na região de 524 a 650 nm, largura a meia altura variando de 42,9 a 64,2 nm com tamanho médio calculado pelas imagens de microscopia eletrônica de transmissão de 2,5 ± 0,38 nm. Os PQs de CdSe apresentaram faixa de emissão de 551 a 568 nm e o sistema de CdS com faixa de emissão de 525 a 544 nm apresentaram boa reprodutibilidade nas triplicatas realizadas. Os PQs de ZnSe apresentaram boa reprodutibilidade, faixas de emissão de 455 a 475 nm, baixa polidispersividade com valores de FWHM de 89,36 a 94,31 nm. Na segunda parte foi possível modular as propriedades de óticas e estruturais do TiO2 ablado em DMF e água. A mudança de band gap foi de 3,3eV da amostra comercial para 3,1eV nas amostras abladas em água e 1,65eV em DMF. Além disso, foram investigadas as propriedades de conversão fototérmica, com valores de temperatura variando de 35º (400mW) para 150ºC (1000mW) de acordo com a potência do laser. Na terceira parte deste trabalho foi desenvolvida uma nova rota de síntese de PQs ternários AgInS2, CuInS2, AgInS2/ZnS e CuInS2/ZnS estabilizados com glutationa em meio aquoso pelo método sonoquimico, de maneira “one pot”, que apresentou estabilidade, rapidez e de modo eficiente. O sistema de PQs de AgInS2 (AIS) apresentou variação no band gap de 2,07 a 2,88 eV, com emissão na região de 580 a 633 nm e seu recobrimento AgInS2/ZnS (ZAIS), apresentaram valores de band gap de 2,25 a 3,03 eV, com emissão de luz na região de 585 a 600 nm. De modo semelhante, os PQs de CuInS2/ZnS (ZCIS) apresentaram valores de band gap de 2,02 a 2,80 eV com perfis simétricos com faixa de emissão de 542 a 648 nm. E por último foi utilizada a metodologia de eletrossíntese aplicada na preparação dos nanocristais de calcogenetos (X= Se e Te) de cobre e índio. Os sistemas de CISe e ZCISe apresentou bons resultados, se comparados as técnicas sintéticas mais comuns com variação de band gap na faixa do visível. Além disso, foi possível desenvolver a primeira rota sintética em meio aquoso para os nanocristais de telureto de cobre e índio e seus recobrimentos estabilizados com GSH estáveis e com emissões na faixa do espectro visível.