CARACTERIZAÇÃO DE TRANSISTORES DE FILME FINO (TFT) DE IGZO IRRADIADOS COM RAIOS X DE BAIXAS ENERGIAS
Transistores de filme fino; IGZO; Raios X; Caracterização elétrica
A radiação ionizante é amplamente utilizada em aplicações científicas, industriais e tecnológicas, tornando essencial a investigação e a caracterização de materiais e dispositivos expostos a diferentes qualidades de feixe e níveis de dose. Nesse contexto, os transistores de filme fino (TFTs) baseados em óxido de índio-gálio-zinco (IGZO) têm despertado interesse devido às suas propriedades elétricas e estruturais. Este trabalho apresenta a caracterização elétrica de TFTs IGZO expostos a feixes padronizados de raios X conforme as normas ISO 4037 (N60, N80, N150 e W80) e IEC 61267 (RQR8 e RQR10), em condições de baixas doses, no Laboratório de Metrologia das Radiações Ionizantes. Os dispositivos foram irradiados com doses crescentes, e sua resposta elétrica foi avaliada por meio da variação da corrente de dreno e da extração de parâmetros a partir das curvas características, com o objetivo de investigar a dependência com a energia do feixe e com a dose absorvida. Entre os parâmetros analisados destacam-se a tensão de limiar (Vth), a mobilidade aparente e a inclinação de sublimiar (subthreshold swing – SS). Os resultados indicam que a exposição aos raios X provoca alterações elétricas mensuráveis, porém sutis, dependentes da qualidade do feixe e das características individuais dos dispositivos, sem comportamento monotônico ao longo da faixa de dose estudada. Também foram observados efeitos de recuperação elétrica pós-exposição e a presença de dano residual induzido pela radiação, contribuindo para a compreensão dos efeitos de raios X de baixas energias em TFTs baseados em óxidos.